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ossila氧化硅衬底晶圆

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产品名称: ossila氧化硅衬底晶圆
产品型号: S148
产品展商: Ossila
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简单介绍


ossila氧化硅衬底晶圆  的详细介绍

硅衬底专为有机电子实验室设计,可用作场效应晶体管(FET)衬底,也适用于 X 射线表征、表面显微分析以及椭圆偏振(椭偏)测试。产品基于 200 mm 硅片基底加工,已完成预氧化与预划片,标准尺寸为 15 mm × 20 mm,无光刻胶涂层。衬底可适配本司衬底架,能够大幅提升批量清洗与批量工艺处理的效率。

产品编码 氧化层厚度 (nm) 划片 电阻率 (Ω・cm) 用途说明
S146 300 已划片 <0.02 有机场效应晶体管,具备优异机电性能的栅极绝缘层(适配金电极蒸镀工艺)
S147 400 已划片 <0.02 X 射线测试、显微表征、椭偏测试
S148 90 已划片 <0.02 二维材料光学显微观测

项目 参数
硅片直径 200 mm(8 英寸)
氧化层厚度公差 ±5%(双面)
氧化层生长方式 双面干法热氧化生长
硅片类型 / 掺杂 P 型 / 硼掺杂
硅片厚度 725 ± 25 µm
晶体生长工艺 直拉法(CZ)
晶向 <100>
正面表面 抛光面
背面表面 未抛光面
项目 参数
衬底尺寸 20 mm × 15 mm(0.79 英寸 × 0.59 英寸)
单片大圆片产出数量 约 75 片完整衬底(含边缘残片)
硅片保护工艺


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