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高密度铂电极OFET测试芯片

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产品名称: 高密度铂电极OFET测试芯片
产品型号: S403A1
产品展商: Ossila
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简单介绍


高密度铂电极OFET测试芯片  的详细介绍

高密度铂电极 OFET 测试芯片

只需涂布有机功能层,即可直接开展器件测试 —— 铂电极 OFET 测试芯片。 铂层溅射沉积于钛粘附层之上,形成稳定性极高的电极接触与沟道结构,可耐受溶剂超声清洗、等离子刻蚀以及擦拭处理。该测试芯片支持多次重复使用,用于多种不同材料的测试实验,帮助科研人员节约时间与实验成本。

采用这款预制高密度测试芯片,迁移率筛选实验变得快速简便。仅需涂布一层半导体薄膜,即可得到20 个有机场效应晶体管(OFET)器件。搭配我司高密度 OFET 测试板,整片芯片全部器件的测试仅需 3 分钟,大幅缩短器件制备与电学测试总耗时。

项目 参数
几何构型 线性构型
S403A1 排布 20 对电极,5 种沟道宽度
S403A2 排布 至少 16 对电极,至少 4 种沟道宽度 *
沟道宽度 1 mm
沟道长度 2 μm(仅 S403A1 具备)、4 μm、6 μm、8 μm、10 μm

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