Ossila二维材料场效应管测试芯片，可供用户对单层、少层二维晶体开展电学与光学测试，无需购置昂贵的光刻设备。芯片为 Si‑SiO₂基底，预制铂电极；源‑漏沟道长度覆盖 4 μm‑20 μm。只需将二维晶体转移至沟道上方，即可直接开展测试。芯片配备双通道电极结构，可堆叠两层晶体，并且能够分别对两层实现电极接触。
多年来，二维材料领域研究热度持续攀升，有望在电池、量子计算机等领域催生颠覆性新技术。科研界制备二维材料的主流手段为 “胶带剥离法”，从块体材料剥离得到单层或少层晶体，该方法可以制备光学、电子器件所需的高质量二维材料。二维材料的制备流程相对简单，光学表征仅需要显微镜与光源即可完成。
但想要充分挖掘材料性能，还必须开展电学特性研究。这对科研人员构成很高门槛：制备二维晶体的金属接触电极，需要复杂且昂贵的光刻设备。我司联合领域内科研人员开发这款二维材料 FET 基底，消除该实验门槛，加快二维材料的电学、光学表征效率。