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  • 产品名称：超平Thermal二氧化硅基底21620-6

  • 产品型号：
  • 产品厂商：Ted pella
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简单介绍：
ted pella经销商、原装进口、质量保证、更多产品信息请联系我司销售。
详情介绍：

超平SiO 2基底由超平硅晶片上的200nm热生长非晶SiO 2膜组成。SiO 2是*具特色的材料之一，广泛用于半导体制造，薄膜研究和生长细胞的基质。它可以直接用作AFM和SEM成像的基底。超平的Thermal二氧化硅基底是6英寸晶圆，或是切割6英寸晶圆而来，切割后的尺寸分别有5x5mm，5x7mm和10x10mm芯片.6“晶圆采用6”晶圆托盘运输，切割后的二氧化硅片装在Gel-Pak盒中。本产品在10级洁净室条件下包装。

 

Thermal SiO 2基底的特性：

方向：<100>

等级：Prime / CZ Virgin

电阻：1-50 Ohm/cm

类型：P / Dopant：硼

晶圆厚度：655-695μm

TTV：<=7μm/ STIR：<=1.0μm

翘曲：<=40μm/弓：<=40μm

颗粒：< = 20 @ > =3.0μm

前表面：抛光

背面：蚀刻

平面：每SEMI标准1个（平面长度57.5 + / 12.5mm）

薄膜：200nm +/- 5％热氧化物（SiO 2），无定形

尺寸：6“（150mm）直径晶圆或5x5mm，5x7mm或10x10mm切割芯片

粗糙度：典型的2-3Å


 

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