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FIB Lift-Out Grid TEM Grids

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产品名称: FIB Lift-Out Grid TEM Grids
产品型号:
产品展商: 泽任
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简单介绍


FIB Lift-Out Grid TEM Grids  的详细介绍

聚焦离子束原位提取 TEM 载网,也叫半月形 FIB 载网、Lamella 薄片承载载网 它不是常规带网格栅的 TEM 载网(Gilder/Quantifoil 那种多孔网格),是专门用于FIB-SEM 双束系统原位提取(in-situ lift-out)的特种样品载体,半导体失效分析、材料 TEM 制样、Cryo-FIB 冷冻切片的核心耗材。

一、基础原理与用途

FIB Lift‑out 工艺:在 FIB-SEM 内部,用纳米机械手(Omniprobe 探针)从大块样品中切出超薄薄片(Lamella,薄片),原位把薄片焊接固定在 LO 载网的立柱(post)上;之后继续离子束减薄,取出放到 TEM 做高分辨 / STEM/EDS/EBSD 分析。

  • 外形特征:标准外径 3 mm(适配所有常规 TEM 样品杆),半月形 / 半开口结构,上方敞开,方便 FIB 机械手探针伸入操作;载网上带有多个独立立柱 Post,薄片通过 Pt 碳沉积焊接在立柱顶端。
  • 核心定位:承载 FIB 制备的微米级超薄样品薄片,用于定点区域 TEM 表征,半导体芯片失效分析是应用场景,也用于 Cryo-FIB 冷冻生物组织切片提取。

二、主流材质选型

  1. Molybdenum 钼 刚度高、不易变形弯曲;离子束轰击下二次沉积少;热稳定性强;EDS 元素分析时 Mo 信号干扰可控;FIB 原位制样、Cryo-FIB 冷冻提取优先推荐钼载网,价格更高。厚度一般 25μm。
  2. Copper 铜(Cu,经济型主力) 成本更低,导电好;缺点:离子束轰击容易产生铜再沉积污染薄片;常规材料、非 EDS 分析场景使用,厚度 25~35μm。

可选其他特殊材质:硅半载网 Silicon Half Grid、铍铜合金(低原子序数,降低背景)

三、立柱 Post 规格(核心选型参数)

立柱数量:1/2/3/4/5/8 柱可选;立柱上带索引标记(点 / 字母编号 A,B,C,D,E),TEM 下快速定位不同薄片样品

  • 单柱 / 双宽立柱:少量样品,每次挂载 1~2 片 Lamella
  • 4 柱、5 柱:通用主流,一次挂载多片薄片,半导体实验室标配
  • 8 柱高通量款:批量制样,一次承载薄片

立柱表面:垂直焊接面,部分型号 V 型定位槽,方便 Lamella 对位与 Pt 沉积焊接。

四、核心产品特性

  1. 厚度:典型 25~35μm,刚性强,FIB 加工、转移、TEM 成像过程不易弯折形变
  2. 索引标记:立柱带有编号标记,便于 TEM 中快速识别、追溯每一片提取薄片
  3. 半开口(半月形)结构:无遮挡,纳米机械手探针可自由抵达每一根立柱
  4. 兼容标准 TEM 样品杆,薄片固定后无遮挡,TEM/STEM 全视场成像
  5. 浅下沉基座 shallow downset 设计:减少 FIB 离子束阴影效应


五、应用领域

  • 半导体失效分析:芯片、器件定点截面 TEM 制样(主要用途)
  • 先进材料:陶瓷、金属、薄膜、电池材料局部微区表征
  • Cryo-FIB 冷冻原位提取(Cryo Lift-out):生物组织、细胞冷冻薄片,冷冻电镜断层成像 cryo-ET
  • 地质、复合材料局部微结构分析

六、使用要点

  1. 薄片采用 FIB 铂沉积(Pt welding)焊在立柱顶端,不是碳膜捞片,和常规 TEM 载网原理完全不同
  2. Mo 钼载网优先用于 EDS 能谱分析、冷冻 FIB;铜载网适合普通形貌观察,做元素分析会引入 Cu 干扰
  3. 操作必须使用无磁精密镊子(Dumont、Excelta Cobaltima),轻微弯曲即报废
  4. 配套专用 Lift-out 载网储存盒,单独存放,防止立柱磕碰损坏
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